【简介】感谢网友“七月末”参与投稿，下面是小编为大家带来的GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响（共6篇），希望大家能够喜欢!
篇1：GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响
GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的`平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.
篇2：退火温度对薄膜的微结构和形貌的影响论文
退火温度对薄膜的微结构和形貌的影响论文
摘 要：采用等离子氧化金属薄膜法制备了HfO2栅介质薄膜,并研究了HfO2栅介质薄膜的微结构和表面形态随退火温度的变化而发生的变化规律。研究表明:随着退火温度的升高，HfO2薄膜的晶体结构发生了变化，从沉积时的非晶态过渡到晶态，从四方转变到四方和单斜相共存，最后又过渡到单斜相。扫描电镜分析表明随着退火温度的升高，HfO2薄膜的内部结构趋向致密与平整。
关键词：HfO2薄膜; 等离子氧化; 微结构; 形貌
1 引言
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生长条件和退火对金刚石薄膜光学性质的影响
提出一种分析微波等离子体化学气相沉积工艺条件对金刚石薄膜的组成和光学性质影响的方法.采用红外椭圆偏振光谱仪来分析Si衬底上金刚石薄膜的.组成和光学性质,研究微波等离子体化学气相沉积法生长条件和退火工艺对金刚石薄膜的消光系数和折射率的影响.实验表明金刚石薄膜中存在C-H、C=C、O-H和C=O键,生长条件对薄膜中C-H和C=C键的含量及薄膜的折射率影响较大;薄膜经过退火后薄膜的光学性质得到明显改善.
篇5：杂质吸收对光子晶体缺陷模偏振态的影响
杂质吸收对光子晶体缺陷模偏振态的影响
引入复折射率并利用特征矩阵法,研究了杂质的吸收对TE波和TM波缺陷模透射峰的影响.得出:杂质的'消光系数对TE波和TM波的缺陷模透射峰都有显著的影响,但对TE波缺陷模的影响比对TM波缺陷模的影响更为明显.当消光系数一定时,TE波的缺陷模透射峰随入射角的增大而迅速减小,而TM波的缺陷模透射峰随入射角的增大而增大.利用这一特性可以设计光子晶体偏振滤波器.
篇6：退火工艺对Nd掺杂Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响
退火工艺对Nd掺杂Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响
利用Sol-Gel法、快速退火工艺在Pt(100)/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜取向及铁电性能的`影响,并探讨了C0.4S0.6NT薄膜取向生长的微观机制.XRD衍射分析表明:350℃热分解温度得到的薄膜I(200)/I(119)达到最大;退火温度达到700℃,薄膜中的Bi2Ti2O7相全部转化成铋层状钙钛矿相;P-E电学性能测试显示:退火温度高有助于提高薄膜的剩余极化(Pr);350℃热分解温度,750℃退火温度得到高(200)取向的薄膜,铁电性能较好,Pr 和Ec分别为14.2μC/cm2和84.5kV/cm.
